功能描述：TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

制造商：epc

系列：eGaN?

包装：剪切带（CT）

零件状态：停产

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：22A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 12A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 3mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：3.7nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：380pF @ 100V

功率 - 最大值：-

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具剖面（7 焊条）

标准包装：1

EPC2012

EPC2012C

EPC2012CENGR

EPC2014C

EPC2015

EPC2015CENGR

EPC2016

EPC2016C

EPC2018

EPC2019